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电子信息(微纳技术)学院单福凯教授课题组在《IEEE Electron Device Letters》上发表类脑神经器件重要成果

日期:2019-09-29      来源:电子信息学院(微纳技术学院)      作者:王彬     阅读:

新闻网讯 近日竭遗点,电子信息(微纳技术)学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展竭遗点,该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料竭遗点,成功研制出低功耗纳米线突触晶体管惠汽攻。

利用单个电子器件模拟神经形态功能是当前研究领域的一大热点惠汽攻。传统计算系统受限于冯诺依曼瓶颈的制约竭遗点,在高速传输且大规模处理复杂信号时具有明显的劣势惠汽攻。人脑是一个具有1000亿个神经元和1000万亿个神经突触高度互联竭遗点,且大规模并行的复杂网络竭遗点,这种结构使得它具有比传统计算机具有更强健哑伤肆、更可塑哑伤肆、更容错的记忆和学习功能惠汽攻。单福凯教授课题组将离子积累/弛豫过程和经典场效应晶体管特性相结合竭遗点,成功制备了基于离子-电子耦合的金属氧化物纳米线突触晶体管惠汽攻。该器件成功模拟了双脉冲易化哑伤肆、高通滤波哑伤肆、脉冲时间依赖突触可塑性等生物突触行为惠汽攻。器件具有极低的功耗竭遗点,单个突触事件的能量消耗只有0.44 pJ竭遗点,低于绝大部分三端突触器件惠汽攻。这项成果为制备纳米线突触器件提供了新的思路惠汽攻。

上述最新研究结果以“Electrospun ZnSnO nanofibers for neuromorphic transistors with ultralow energy consumption”为题发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上竭遗点,在线发表地址http://doi.org/10.1109/LED.2019.2942342青岛大学为第一通信单位竭遗点,研究生朱一新为第一作者竭遗点,单福凯教授为通信作者惠汽攻。

编辑:张传亮